全书由模拟电路实验、数字电路实验、综合实验、电子产品组装与调试及常用仪表使用共五章内容组成。在实验内容安排上，力求将分析、设计及验证融为一体，强化故障排除能力训练；实验项目全程贯穿识图、元器件识别检测、测试结果分析等环节训练，以突出教学对象技能培养的要求。为了达到教学效果，实验项目以大学时（4学时）教学进行设计。

本书系统阐述了表面组装元器件、表面组装材料、表面组装工艺、表面组装设备原理及应用等SMT基础内容。针对SMT产品制造业的技术发展及岗位需求，详细介绍了表面组装技术的SMB设计与制造、焊锡膏印刷、点胶、贴片、波峰与再流焊接、检验、清洗等基本技能。为解决学校实训条件不足和增加学生感性认识的需要，书中配置了较大数量的实物图片

薄膜晶体管（TFT）是一种金属-绝缘层-半导体场效应管，迄今已经历了60年的发展，在原理与技术方面的创新层出不穷。《薄膜晶体管原理与技术》首先概述TFT的物理基础及典型薄膜工艺原理；接着以氢化非晶硅、低温多晶硅、金属氧化物和有机TFT为主，系统介绍TFT相关的材料、器件及制备技术；再以有源驱动液晶显示和有机发光显示两种

本书沿半导体全产业链的发展历程，分基础、应用与制造三条主线展开。其中，基础线主要覆盖与半导体材料相关的量子力学、凝聚态物理与光学的一些常识。应用线从晶体管与集成电路的起源开始，逐步过渡到半导体存储与通信领域。制造线以集成电路为主展开，并介绍了相应的半导体材料与设备。三条主线涉及了大量与半导体产业相关的历史。笔者希望能够

本书共六章,内容包括:绪论、硅胶基间接固态发光氮掺杂碳点的构筑及其在黄光发光二级管中的应用、聚乙烯醇基间接固态发光氮硫共掺杂碳点的构筑及其在暖白光发光二级管中的应用、直接固态发光氮掺杂碳点的构筑及其在多色发光二级管中的应用、氮硫共掺杂碳点的构筑及其在倒置太阳能电池中的应用、结论与展望。

本书以作者近年来的研究成果为基础，结合国际研究进展，系统地介绍了金刚石超宽禁带半导体器件的物理特性和实现方法，重点介绍了氢终端金刚石场效应管器件。全书共8章，内容包括绪论、金刚石的表面终端、氢终端金刚石场效应管的原理和优化、金刚石微波功率器件、基于各种介质的氢终端金刚石MOSFET、金刚石高压二极管、石墨烯/金刚石复合

本书主要介绍近几年发展较快的氧化镓半导体器件。氧化镓作为新型的超宽禁带半导体材料，在高耐压功率电子器件、紫外光电探测器件等方面都具有重要的应用前景。本书共分为7章，第1~4章（氧化镓材料部分）介绍了氧化镓半导体材料的基本结构，单晶生长和薄膜外延方法，电学特性，氧化镓材料与金属、其他半导体的接触，氧化镓材料的刻蚀、离子注

随着太赫兹技术的发展，传统固态器件在耐受功率等方面已经很难提升，导致现有的太赫兹源输出功率低，不能满足太赫兹系统工程化的需求。宽禁带半导体氮化镓具有更高击穿场强、更高热导率和更低介电常数的优点，在研制大功率固态源、高速调制和高灵敏探测方面具有优势。本书主要介绍氮化物太赫兹器件的最新进展，包括氮化镓太赫兹二极管、三极管、

氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料，在高压功率器件、深紫外光电器件、高亮度LED等方面具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍，重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果；系统阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的

本书以第三代半导体与二维材料相结合的产业化应用为目标，详细介绍了二维材料上准范德华外延氮化物的理论计算、材料生长、器件制备和应用，内容集学术性与实用性于一体。全书共8章，内容包括二维材料及准范德华外延原理及应用、二维材料/氮化物准范德华外延界面理论计算、二维材料/氮化物准范德华外延成键成核、单晶衬底上氮化物薄膜准范德华