。本册为《半导体工艺原理》,主要内容包括:锗和硅的化学制备与提纯、半导体材料的生长、硅片加工、氧化工艺、薄膜沉积工艺、外延工艺、光刻工艺概述、光刻设备、光刻材料、刻蚀工艺、掺杂工艺等。
本书系统总结具有电子相变特性的过渡族化合物半导体材料体系,详细介绍其晶体结构、电输运与磁性、电子相转变原理、材料合成与潜在应用等。全书共12章,其中第1章总述现有电子相变材料体系以及常见电子相变原理。由于具有相同的价电子数的过渡族元素的化合物中的轨道构型具有一定相近性,第2~11章将进一步按照副族周期元素对三十余种电子
第一章介绍了光子计算机发展的历史以及神经网络的概念。第二章重点介绍了物理储层计算的原理,以及一些与光子计算相关的重要概念——品质因数、拓扑网络、线性和非线性记忆容量。第三章介绍了储层集成的最新技术,主要集中在被动架构的实现,以及如何通过光电探测器实现非线性变换的原理。第四章介绍了大规模光子储层的潜力,重点讨论了几种可以
本书共8章。其中,第1章介绍Si基GaN材料与芯片的研究意义,着重分析了GaN材料的性质和Si基GaN外延材料与芯片制备的发展历程。第2章从Si基GaN材料的外延生长机理出发,依次介绍了GaN薄膜、零维GaN量子点、一维GaN纳米线和二维GaN生长所面临的技术难点及对应的生长技术调控手段。第3~7章依次介绍了Si基Ga
本教程在简要介绍MOSFET场效应晶体管器件结构和工作原理的基础上,全面叙述了MOSFET基本电学特性和二阶效应;介绍了MOSFET器件模型及建模测试结构和方案设计;给出了MOSFETBSIM模型参数提取流程;介绍了半导体器件SPICE模型建模平台EmpyreanXModel,深入介绍了XModel的基本功能和界面;介
本书主要介绍薄膜晶体管(TFT)集成电路技术领域的基础知识和作者在该领域的代表性研究成果。内容涵盖图像显示和图像传感器件所需的TFT集成电路技术,如像素TFT电路、行驱动(扫描)TFT电路以及列(数据)驱动TFT电路等。全书共5章,分别为:薄膜晶体管(TFT)概述,有源矩阵液晶显示(AMLCD)TFT电路,有源矩阵有机
本书将半导体技术60多年的发展史浓缩在有限的篇幅里,通过简明扼要的语言为我们讲述关于芯片的那些事儿。本书主要围绕“史前文明”——电子管时代、“新石器时代”——晶体管时代、“战国时代”——中小规模集成电路时代、“大一统秦朝”——大规模和超大规模集成电路时代、“大唐盛世”——特大规模和巨大规模集成电路时代、“走进新时代”—
本书力图全面深入地介绍太阳能电池的原理、技术与应用,为读者提供一本兼具理论深度和实践指导的权威之作。本书详细阐释了太阳能与太阳能电池的基本物理原理与特性,系统梳理了各类太阳能电池的发展脉络,深入探讨了太阳能电池的测试原理与分析方法,重点介绍了太阳能电池性能提升的前沿技术,进一步阐述了光伏发电系统的设计与应用。
本书内容主要内容为概述、IGBT模块电气特性、驱动器设计、IGBT多器件驱动控制技术、驱动器可靠性设计、驱动器试验及测试、大功率IGBT驱动器应用案例。本书系统、深入地阐述了IGBT及其驱动器的技术发展等。
本书为《新兴半导体》分册。新兴半导体发展迅速、应用领域广泛、产业带动性强、节能潜力大,被公认为最有发展前景的战略性新兴产业,在消费类电子、5G通讯、新能源汽车、智能电网、航天等领域具有广阔的应用前景。本分册围绕新兴半导体这一“核芯”领域,从高载流子迁移率半导体材料、忆阻半导体材料、新型红外半导体材料及超宽禁带半导体材料