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本书详细介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的结构和工作原理、单元结构的设计；整个芯片架构，包括有源区、栅极焊盘和边缘终端；保护电路；用于控制所述器件的栅极驱动电路；电路仿真模型。经过作者的构思和商业化，在过去的40年里，IGBT已成为大部分经济部门电源管理的重要器件。本书提供了各个经济部门中用于每个IGBT应用的电路

本书共7章，主要内容包括绪论、半导体材料属性实验、二极管特性实验、双极型晶体管特性实验、场效应晶体管特性实验、专用半导体特性实验、运算放大器实验。本书涉及的实验分为半导体器件物理理论课程相配套的经典实验、半导体器件物理前沿科技相关的器件实验，以及后续集成电路设计课程衔接的相关实验，形成了基础性实验、设计性实验、综合性实

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本书系统总结具有电子相变特性的过渡族化合物半导体材料体系，详细介绍其晶体结构、电输运与磁性、电子相转变原理、材料合成与潜在应用等。全书共12章，其中第1章总述现有电子相变材料体系以及常见电子相变原理。由于具有相同的价电子数的过渡族元素的化合物中的轨道构型具有一定相近性，第2～11章将进一步按照副族周期元素对三十余种电子

第一章介绍了光子计算机发展的历史以及神经网络的概念。第二章重点介绍了物理储层计算的原理，以及一些与光子计算相关的重要概念——品质因数、拓扑网络、线性和非线性记忆容量。第三章介绍了储层集成的最新技术，主要集中在被动架构的实现，以及如何通过光电探测器实现非线性变换的原理。第四章介绍了大规模光子储层的潜力，重点讨论了几种可以

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本教程在简要介绍MOSFET场效应晶体管器件结构和工作原理的基础上，全面叙述了MOSFET基本电学特性和二阶效应；介绍了MOSFET器件模型及建模测试结构和方案设计；给出了MOSFETBSIM模型参数提取流程；介绍了半导体器件SPICE模型建模平台EmpyreanXModel，深入介绍了XModel的基本功能和界面；介

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本书将半导体技术60多年的发展史浓缩在有限的篇幅里，通过简明扼要的语言为我们讲述关于芯片的那些事儿。本书主要围绕“史前文明”——电子管时代、“新石器时代”——晶体管时代、“战国时代”——中小规模集成电路时代、“大一统秦朝”——大规模和超大规模集成电路时代、“大唐盛世”——特大规模和巨大规模集成电路时代、“走进新时代”—