本书以正确阐述物理概念为主，辅以必要的数学推导，理论分析有一定深度，但又不是把基本物理概念淹没在繁琐的数学运算中，使读者通过学习，达到对半导体中的各种基本物理现象有一全面正确的概念，建立起清晰的半导体物理图像，为后续课程的学习，研究工作的开展，理解各种半导体器件，集成电路的工作机理打下良好的基础。
本书为专著共分五章，前四章研究四类常见的半导体宏观量子模型：量子漂移-扩散模型、量子能量输运模型、量子Navier-Stokes方程组和双极量子流体动力学模型。我们在一维有界区间上证明了量子漂移-扩散稳态模型、量子能量输运稳态模型、量子Navier-Stokes稳态方程组古典解的存在性以及双极等温量子流体动力学稳态模型
本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容，分成三部分，共15章。*部分为半导体材料属性，主要讨论固体晶格结构、量子力学、固体量子理论、平衡半导体、输运现象、半导体中的非平衡过剩载流子；第二部分为半导体器件基础，主要讨论pn结、pn结二极管、金属半导体和半导体异质
本书全面介绍半导体物理学的基本理论，以物理科学、材料科学与工程、电子技术的眼光全面审视半导体物理的发展过程和进展情况。 本书内容包括半导体的晶体结构、常见半导体的能带结构、半导体中杂质和缺陷效应、载流子的统计计算方法、半导体导电特性、光电导效应、光伏效应、金属半导体的接触特性、半导体同质PN结、半导体异质结构、MOS
编者根据使用情况和评审意见对原书作了适当修改，力图以简明扼要的方式全面、准确介绍半导体物理学的基础知识及其新进展，内容包括半导体的物质结构和能带结构、杂质和缺陷、载流子的统计分布及其运动规律、非热平衡态半导体、pn结、金属-半导体接触、异质结、半导体表面、以及主要的半导体效应。
全书分上下两篇,上、下两篇既独立成篇又互为联系,隶属于微电子相关专业的知识体系,其中每篇又由“基础知识”和“实验”两部分构成。上篇为“半导体物理实验”,分别为构建晶体结构、仿真与分析晶体电子结构、单波长椭偏法测试分析薄膜的厚度与折射率、四探针测试半导体电阻率、霍耳效应实验、高频光电导法测少子寿命、肖特基二极管的电流电压
光子学是与电子学平行的科学。半导体光子学是以半导体为介质的光子学，专门研究半导体中光子的行为和性能，着重研究光的产生、传输、控制和探测等特性，进一步设计半导体光子器件的结构，分析光学性能及探索半导体光子系统的应用。《半导体光子学》分为13章，包括光子材料、异质结构和能带、辐射复合发光和光吸收、光波传输模式；超晶格和量子
本书共10章，47个专题，近300张图片(包括书末40余幅珍贵图片，既有著名的科学家，也有珍贵的原型器件和先进的仪器设备)。首先概述了半导体研究的对象、范围和早期历史，以猫须探测器为例介绍了半导体的早期应用，说明了材料、物理和器件这三者的相互作用在半导体研究中的重要性。然后是第一个晶体管的诞生、少子法则的确立以及硅基半
《半导体物理导论》的主要内容包括：第一章半导体的晶体结构与价键模型。第二章半导体的电子结构。第三章半导体中的载流子定性描述。第四章半导体中的载流子定量描述。第五章半导体中载流子的电输运。第六章低维半导体中的量子输运和石墨烯电输运。第七章金属—半导体的接触。第八章半导体表面效应和MIS结构。第九章半导体的内光电效应和发光
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