本书将半导体技术60多年的发展史浓缩在有限的篇幅里，通过简明扼要的语言为我们讲述关于芯片的那些事儿。本书主要围绕“史前文明”——电子管时代、“新石器时代”——晶体管时代、“战国时代”——中小规模集成电路时代、“大一统秦朝”——大规模和超大规模集成电路时代、“大唐盛世”——特大规模和巨大规模集成电路时代、“走进新时代”—

"为了应对我国在集成电路领域,尤其是光刻技术方面严重落后于发达国家的局面,破解光刻制造设备、材料和光学邻近效应修正软件几乎完全依赖进口的困境,作为从事光刻工艺研发近20年的资深研发人员,作者肩负着协助光刻设备、材料和软件等产业链共同研发和发展的责任,将为了应对我国在集成电路领域，尤其是光刻技术方面严重落后于发达国家的局

半导体制造作为微电子与集成电路行业中非常重要的环节，其工艺可靠性是决定芯片性能的关键。本书详细描述和分析了半导体器件制造中的可靠性和认定，并讨论了基本的物理和理论。本书涵盖了初始规范定义、测试结构设计、测试结构数据分析，以及工艺的最终认定，是一本实用的、全面的指南，提供了验证前端器件和后端互连的测试结构设计的实际范例。

《LED驱动与应用电路设计及案例分析》针对电子电路应用设计实务中的痛点和难点,通过案例举一反三,使读者能快速掌握分析和解决问题的方法和思路。全书的编排设计始终遵循以读者为中心、成果导向和持续改进的理念,以培养应用型的工程技术人员为目标,贯穿于整个电子产品设计的全过程。全书采用案例式教学,通过问题引导的方式帮助读者积累知

本书是国外学者们对宽禁带半导体封装技术和趋势的及时总结。首先，对宽禁带功率器件的发展趋势做了总结和预演判断，讲述宽禁带功率半导体的基本原理和特性，包括其独特的物理和化学属性，以及它们在极端环境下的潜在优势。接着介绍封装材料的选择和特性，分别就互连技术和衬底展开论述，同时，介绍了磁性材料，并对不同材料结构的热性能，以及冷

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关速度快及热传导性好等优点，相比传统的Si基功率器件，可简化功率电子系统拓扑结构，减小系统损耗和体积，因而对功率电子系统的发展至关重要。然而，由于宽禁带器件的外延材料和制备工艺仍不完善，器件界面缺陷密度大等问题，使得宽禁带功率器件在高温、高

"本书基于作者团队多年的光刻工艺（包括先进光刻工艺）研发经验，从集成电路工厂的基本结构、半导体芯片制造中常用的控制系统、图表等基本内容出发，依次介绍光刻基础知识，一个6晶体管静态随机存储器的电路结构与3个关键技术节点中SRAM制造的基本工艺流程，光刻机的发展历史、光刻工艺8步流程、光刻胶以及掩模版类型，光刻工艺标准化与

本书详细地阐述了宽禁带功率半导体器件的发展现状、电热行为模型建模方法与模型参数提取优化算法、开通和关断过电压问题分析和抑制方法、串扰导通问题机理与抑制方法。通过LLC变换器展示了如何借助宽禁带器件电热行为模型完成功率变换器硬件优化设计和控制算法的仿真验证，并分析了平面磁集成矩阵变压器的优化设计方法，建立了LLC变换器小

《低维半导体材料及其信息能源器件》讲述了低维半导体材料与器件的制备与构筑及其在电子信息和绿色能源领域的新颖应用。全书共7章，涵盖了低维材料的生长和表征、二维半导体材料在触觉传感器的应用、二维过渡金属硫化合物感通融器件、二维过渡金属硫化物的纳米光子学和光电子学、二维半导体材料材料非易失性阻变存储器和射频开关、四/五主族二

本书是作者从事电子制造40年来有关单板互连可靠性方面的经验总结,讨论了单板常见的失效模式、典型失效场景以及如何设计与制造高可靠性产品的广泛问题，并通过大量篇幅重点讨论了焊点的断裂失效现象及裂纹特征。全书内容共4个部分，第一部分为焊点失效机理与裂纹特征，详细介绍焊点的失效模式、失效机理、裂纹特征及失效分析方法;第二部分为