本书介绍了当前主流的光学光刻、先进的极紫外光刻以及下一代光刻技术。主要内容涵盖了光刻理论、工艺、材料、设备、关键部件、分辨率增强、建模与仿真、典型物理与化学效应等，包括光刻技术的前沿进展，还总结了极紫外光刻的特点、存在问题与发展方向。

单片智能功率芯片是一种功能与结构高度集成化的高低压兼容芯片，其内部集成了高压功率器件、高低压转换电路及低压逻辑控制电路等，高压厚膜SOI基横向IGBT器件（高压厚膜SOI-LIGBT器件）在其中被用作开关器件，是该芯片中的核心器件，其性能直接决定了芯片的可靠性和功耗。本书共7章：介绍了厚膜SOI-LIGBT器件的工作原

本书主要以几种新型的纳米多孔GaN基薄膜为研究对象，系统地介绍了其纳米孔结构的制备及特性研究，为其在光解水、发光器件、柔性器件及可穿戴设备等领域的应用奠定了理论和实验基础。

本书以著名光子学家郭光灿院士指出的“书乃明理于本始，惠泽于世人……探微索隐，刻意研精，识其真要，奉献读者”为旨要，以12章成体，以激光单元技术和应用技术为用。首先对各种单元技术结构特点、运转机理等基础知识进行介绍；然后分别介绍激光调制、偏转、调Q、超短脉冲、放大、横模选取、纵模选取、稳频、非线性光学、激光微束等技术，其

本书根据国内外近十几年来氧化物半导体TiO2和WO3的氧空位调控及其光学、电学和磁学特性的研究进展，结合作者的研究成果撰写而成，系统地介绍了采用离子注入、水热法和真空退火等技术方法，通过对TiO2和WO3氧空位缺陷的分布、浓度的调控，进而实现对光学、电学和磁学性质的调制，获得更为理想的铁磁性能和表面增强拉曼光谱性能。本

本书以数据分析为基础，探讨了半导体材料及器件的特征参数分析和检测的方法和技术。全书共七章，包括数据的统计分析、半导体物理基础、半导体材料的接触及能带结构测量、半导体缺陷及测量、载流子迁移率的测量、载流子动力学和太阳能电池的基本原理及表征，对相关材料专业学生和科研工作人员具有很好的参考价值和意义。

本书是光电课程改革创新系列教材之一，全书共有8个项目27个任务，主要内容包括LED封装技术、LED性能测试、LED驱动电源设计、LED照明灯具装配、LED景观照明设计与制作、LED显示屏应用、LED智能路灯应用、LED智能照明系统。本书在介绍上述内容的同时有机融入爱国主义、职业素养、辩证思维等思政元素。本书是新编校企合

作为薄膜晶体管(TFT)技术的入门教材，本书以非晶硅薄膜晶体管（a-SiTFT)和多晶硅薄膜晶体管(p-SiTFT)为例详细讲解了与TFT技术相关的材料物理、器件物理和制备工艺原理及其在平板显示中的应用原理等。本书共分7章。第1章简单介绍了薄膜晶体管的发展简史；第2章详细阐述了TFT在平板显示有源矩阵驱动中的应用原理；

本书介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺，以及特性的控制等。全书共13章：第1章为硅和锗的化学制备；第2章为区熔提纯；第3章为晶体生长；第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷；第5章为硅外延生长；第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体；第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长；第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体；第9章为Ⅱ

半导体光电子学是研究半导体光子和光电子器件的学科，涉及各种半导体光电子器件的物理概念、工作原理及制作技术，在能源、显示、传感和通信等领域都拥有广泛的应用。《BR》本书主要包括半导体材料基本性质、半导体光电子器件基本结构、载流子注入与速率方程、半导体激光器基本理论、光信号调制、半导体光电探测器、太阳能光热与光伏、半导体光