本书以器件和集成电路为轴线，从基本概念到器件的原理、设计、制造和电路应用，比较全面地介绍了新近发展起来的SiGe微电子技术。

本书的主要内容包括：高分辨X射线衍射，光学性质检测分析，表面和薄膜成分分析，扫描探针显微学在半导体中的运用，透射电子显微学及其在半导体研究中的应用，半导体深中心的表征。以上内容包括了目前半导体材料（第三代半导体和低维结构半导体材料）物理表征的实验技术和具体应用成果。限于篇幅，不能面面俱到，所以有些实验技术，如LEED，

本书内容大体可分为两个部分。前两章为第一部分，介绍学习半导体器件必须的知识，包括半导体基本知识和pn结理论；其余各章为第二部分，阐述主要半导体器件的基本原理和特性，这些器件包括：双极型晶体管、化合物半导体场效应晶体管、MOS器件、微波二极管、量子效应器件和光器件。每章末均有习题，书后附有习题参考解答。本书简明扼要，讨论