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当前分类数量:216  点击返回 当前位置:首页 > 中图法 【TN3 半导体技术】 分类索引
  • 直拉硅单晶生长过程数值模拟与工艺优化
    • 直拉硅单晶生长过程数值模拟与工艺优化
    • 刘丁/2020-12-1/ 科学出版社/定价:¥228
    • 本书是作者长期从事直拉硅单晶生长过程数值模拟与工艺优化研究的总结。书中在概述硅单晶发展前景、主要生长设备及关键工艺的基础上,介绍直拉硅单晶生长过程数值模拟方法、工艺流程与参数设置、热系统设计与制造等方面的内容;从介观层面阐述多物理场耦合作用对晶体生长的影响,并给出关键工艺参数选取方法;提出一系列结合变量检测、智能优化及

    • ISBN:9787030667069
  • 数据驱动的半导体制造系统调度(“中国制造2025”出版工程)
    • 数据驱动的半导体制造系统调度(“中国制造2025”出版工程)
    • 李莉、于青云、马玉敏、乔非 著/2020-12-1/ 化学工业出版社/定价:¥68
    • 本书对复杂的半导体制造系统智能调度问题从理论到方法再到应用,进行了系统论述。主要内容包括数据驱动的半导体制造系统调度框架、半导体制造系统数据预处理的方法、半导体生产线性能指标相关性分析、智能化投料控制策略、一种模拟信息素机制的动态派工规则、基于负载均衡的半导体生产线的动态调度和性能指标驱动的半导体生产线动态调度方法、大

    • ISBN:9787122373281
  • 有机光功能材料与激光器件
    • 有机光功能材料与激光器件
    • 姚建年等/2020-11-1/ 科学出版社/定价:¥118
    • 有机光功能材料与器件在信息、工业、国防、医疗等各个行业都有重要的应用,是未来光子发展以及国际高技术竞争的重要阵地。本书重点介绍了有机光功能材料及其在激光器件方面的应用,从光功能材料的发光机理、激发态过程及激光基础理论出发,讨论有机微纳激光发展现状和未来的激光显示应用。

    • ISBN:9787030663917
  • Ⅲ族氮化物发光二极管技术及其应用(英文版)
    • Ⅲ族氮化物发光二极管技术及其应用(英文版)
    • 李晋闽等/2020-11-1/ 科学出版社/定价:¥198
    • 本书以作者及其研究团队多年的研究成果为基础,系统地介绍了Ⅲ族氮化物发光二极管的材料外延、芯片制作、器件封装和系统应用,内容集学术性与实用性为一体。全书共12章,内容包括:Ⅲ族氮化物LED的基本原理、材料性质及外延生长理论,InGaN/GaN多量子阱材料及蓝、绿光LED,AlGaN/GaN多量子阱材料及紫外LED,Ⅲ族氮

    • ISBN:9787030659293
  • AlX化合物结构与性质的第一性原理研究
    • AlX化合物结构与性质的第一性原理研究
    • 刘超/2020-10-23/ 冶金工业出版社/定价:¥66
    • 本书共分为6章:第1章是关于AlX(X=N,P,As)化合物的研究进展的专题介绍,引出了现阶段AlX(X=N,P,As)化合物的机遇与挑战。第二章以实验上已有AlX(X=N,P,As)化合物物相为对象,开展AlX(X=N,P,As)化合物的性质研究及对比分析,阐明组分改变对相同结构的AlX化合物的性质影响规律。第三章中

    • ISBN:9787502486013
  • IGBT理论与设计
    • IGBT理论与设计
    • [印度]维诺德·库马尔·卡纳(Vinod Kumar Khanna)著杨兵/2020-10-1/ 机械工业出版社/定价:¥159
    • 本书首先对不同类型的IGBT工作原理进行了介绍,然后从IGBT的结构出发,给出了IGBT中MOS结构和双极型结构的工作原理,接下来详细说明了它们如何影响IGBT的正向传导特性,详细研究了IGBT模型,包括静态、动态和电热行为,讨论了IGBT中的闩锁效应,以及预防闩锁的详细处理方法。借助计算机辅助设计工具深入研究了IGB

    • ISBN:9787111663522
  • 晶体管非线性模型参数提取技术
    • 晶体管非线性模型参数提取技术
    • [德] 马蒂亚斯·鲁道夫(Matthias Rudolph) 著,王颖,董士伟,董亚洲 等 译/2020-10-1/ 国防工业出版社/定价:¥88
    • 《晶体管非线性模型参数提取技术》旨在对晶体管模型参数提取提供全面的概述:一方面,基本前提是参数提取与建立基于物理模型本身同等重要;另一方面,即使对不同的技术,提取方法也往往基于同样的想法和假设;因此,《晶体管非线性模型参数提取技术》的目的是给出一个较为宽泛的想法,聚焦于一个主题和概念,而非限定在某一特定的晶体管类型。《

    • ISBN:9787118120677
  • 低维半导体光子学
    • 低维半导体光子学
    • 潘安练/2020-10-1/ 科学出版社/定价:¥198
    • 本书为“低维材料与器件丛书”之一。全书主要介绍低维半导体光子学的物理基础,低维半导体材料制备与能带调控、瞬态光学特性、光传输与光反馈、光子调控、非线性光学性质和纳米尺度光学表征与应用,以及基于低维半导体材料或结构的发光二极管、激光器、光调制器和非线性光学器件等,最后介绍了基于低维半导体结构集成光子器件与技术。本书力求为

    • ISBN:9787030654366
  • SiC功率器件的封装测试与系统集成
    • SiC功率器件的封装测试与系统集成
    • 曾正/2020-10-1/ 科学出版社/定价:¥169
    • SiC功率器件是电能变换的核心,是下一代电气装备的基础,在消费电子、智能电网、电气化交通、国防军工等领域,具有不可替代的作用。SiC功率器件的性能表征、封装测试和系统集成,具有重要的研究价值和应用前景。围绕SiC功率器件的基础研究和前沿应用,本书系统介绍了SiC功率器件的研究现状与发展趋势,分析了器件的电-热性能表征方

    • ISBN:9787030657008
  • 负电容场效应晶体管特性及其解析模型研究
    • 负电容场效应晶体管特性及其解析模型研究
    • 蒋春生/2020-10-1/ 清华大学出版社/定价:¥89
    • 本书采用数值仿真、解析建模和实验制备的手段对集成电路亚10nm阶段新型低功耗半导体器件-负电容场效应晶体管(NC-FETs)的工作原理和设计优化进行了研究和探索。在负电容场效应晶体管的解析模型及其特性优化、新型负电容场效应晶体管器件结构的提出、以及基于二维材料的负电容场效应晶体管的制备等方面,本书做出了一系列原创性的研

    • ISBN:9787302556633