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《半导体结构》主要内容总体可被划分为两个部分，分别是晶体的结构理论和晶体的缺陷理论。第一部分主要围绕理想晶体（完美晶体）的主要性质与基本概念撰写，加深读者对晶体结构和关键性质的理解。第一部分拟通过五个章节分别介绍晶体的基本概念、晶体结构、对称性、晶体结构描述方法及典型半导体晶体的重要物理、化学特性和这些特性与晶体微观、

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集成电路与等离子体装备

弹性半导体结构的机械变形-电场-热场-载流子分布等物理场的耦合分析十分复杂。《弹性半导体的多场耦合理论与应用》基于连续介质力学、连续介质热力学及静电学的基本原理，建立了半导体的连续介质物理模型。以该模型为基础，采用材料力学及板壳力学的建模方法系统地研究了典型弹性半导体结构中的多场耦合问题，包括一维和二维压电半导体结构（

本书基于当前半导体行业制造过程中存在的问题，介绍了多种改进的批间控制和过程监控算法及其性能。第1章为半导体制造过程概述，包括国内外研究现状和发展趋势。第2、3章介绍批间控制、控制性能和制造过程监控。第4～7章讨论机台干扰、故障、度量时延对系统性能的影响，提出多种批间控制衍生算法，包括双产品制程的EWMA批间控制算法、变

本书以工程应用为目标，聚焦基本概念与原理、表面组装核心工艺、主要组装工艺问题及最新应用问题，以图文并茂的形式，介绍了焊接的基础原理与概念、表面组装的核心工艺与常见不良现象，以及组装工艺带来的可靠性问题。全书结合内容需求，编入了几十个经典案例，这些案例非常典型，不仅有助于读者深入理解有关工艺的概念和原理，也可作为类似不良

本书系统介绍了用于材料位移损伤研究的多尺度模拟方法，包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等，模拟尺寸从原子尺度的10.10m到百纳米，时间从亚皮秒量级到106s，并给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓材料位移损伤研究中的应用，揭示了典型半导

本书全面阐述了半导体刻蚀加工及金属辅助化学刻蚀加工原理与工艺，详细讲述了硅折点纳米线、超高深径比纳米线、单纳米精度硅孔阵列三类典型微/纳米结构的刻蚀加工工艺，并对第三代半导体碳化硅的电场和金属辅助化学刻蚀复合加工、第三代半导体碳化硅高深宽比微槽的紫外光场和湿法刻蚀复合加工工艺进行了详细论述。

超结是功率半导体器件领域的创新的耐压层结构之一，它将常规阻型耐压层质变为PN结型耐压层，突破了传统比导通电阻和耐压之间的硅极限关系（Ron,spVB^2.5），将2.5次方关系降低为1.32次方，甚至是1.03次方关系，被誉为功率半导体器件发展的里程碑。本书概述了功率半导体器件的基本信息，重点介绍了作者在功率超结器件研

本书主要以几种新型的纳米多孔GaN基薄膜为研究对象，系统地介绍了其纳米孔结构的制备及特性研究，为其在光解水、发光器件、柔性器件及可穿戴设备等领域的应用奠定了理论和实验基础。

本书根据国内外近十几年来氧化物半导体TiO2和WO3的氧空位调控及其光学、电学和磁学特性的研究进展，结合作者的研究成果撰写而成，系统地介绍了采用离子注入、水热法和真空退火等技术方法，通过对TiO2和WO3氧空位缺陷的分布、浓度的调控，进而实现对光学、电学和磁学性质的调制，获得更为理想的铁磁性能和表面增强拉曼光谱性能。本

本书介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺，以及特性的控制等。全书共13章：第1章为硅和锗的化学制备；第2章为区熔提纯；第3章为晶体生长；第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷；第5章为硅外延生长；第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体；第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长；第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体；第9章为Ⅱ

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本书采用通俗易懂的语言、图文并茂的形式，详细讲解了智能制造SMT设备操作与维护的相关知识，覆盖了SMT生产线常用的设备，主要包括上板机、印刷机、SPI设备、双轨平移机、贴片机、AOI设备、缓存机、回流焊、X-ray激光检测仪、AGV机器人、传感器、烤箱、电桥等，还对SMT生产线的运行管理做了介绍。本书内容丰富实用，讲解

本书系统全面地阐述了真空镀膜技术的基本理论知识体系以及各种真空镀膜方法、设备及工艺。对最新的薄膜类型、性能检测及评价、真空镀膜技术及装备等内容也进行了详细的介绍，如金刚石薄膜的应用及大面积制备技术、工艺、性能评价等。本书叙述深入浅出，内容丰富而精炼，工程实践性强，在强化理论的同时，重点突出了工程应用，具有很强的实用性，

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《芯片用硅晶片的加工技术》由浅入深地介绍了半导体硅及集成电路的有关知识，并着重对满足纳米集成电路用优质大直径300mm硅单晶抛光片和太阳能光伏产业用晶体硅太阳电池晶片的制备工艺、技术，以及对生产工艺厂房的设计要求进行了全面系统的论述。书中附有大量插图、表格等技术资料，可供致力于半导体硅材料工作的科技人员、企业管理人员和

本书首先简要介绍低维异质半导体材料及其物理性质，概述刻蚀和分子束外延生长两种基本的低维半导体材料制备方法，简要说明了分子束外延技术设备的工作原理和低维异质结构的外延生长过程及其工艺发展。接着分别从热力学和动力学的角度详细阐述了硅锗低维结构的外延生长机理及其相关理论，重点讨论了图形衬底上的硅锗低维结构可控生长理论和硅锗低