借助STM这个可以提供原子尺度结构和电子态的有力工具，《硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究》对Sr／Si体系进行了深入的研究，主要分为以下3个部分：（1）第一部分：Si（100）衬底上的Sr／Si再构；（2）第二部分：Si（111）衬底上的Sr／Si再构；（3）第三部分：超薄SrTiO3膜的高温晶化。
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