本书全面阐述了半导体刻蚀加工及金属辅助化学刻蚀加工原理与工艺，详细讲述了硅折点纳米线、超高深径比纳米线、单纳米精度硅孔阵列三类典型微/纳米结构的刻蚀加工工艺，并对第三代半导体碳化硅的电场和金属辅助化学刻蚀复合加工、第三代半导体碳化硅高深宽比微槽的紫外光场和湿法刻蚀复合加工工艺进行了详细论述。

本书以著名光子学家郭光灿院士指出的“书乃明理于本始，惠泽于世人……探微索隐，刻意研精，识其真要，奉献读者”为旨要，以12章成体，以激光单元技术和应用技术为用。首先对各种单元技术结构特点、运转机理等基础知识进行介绍；然后分别介绍激光调制、偏转、调Q、超短脉冲、放大、横模选取、纵模选取、稳频、非线性光学、激光微束等技术，其

超结是功率半导体器件领域的创新的耐压层结构之一，它将常规阻型耐压层质变为PN结型耐压层，突破了传统比导通电阻和耐压之间的硅极限关系（Ron,spVB^2.5），将2.5次方关系降低为1.32次方，甚至是1.03次方关系，被誉为功率半导体器件发展的里程碑。本书概述了功率半导体器件的基本信息，重点介绍了作者在功率超结器件研

本书主要以几种新型的纳米多孔GaN基薄膜为研究对象，系统地介绍了其纳米孔结构的制备及特性研究，为其在光解水、发光器件、柔性器件及可穿戴设备等领域的应用奠定了理论和实验基础。

单片智能功率芯片是一种功能与结构高度集成化的高低压兼容芯片，其内部集成了高压功率器件、高低压转换电路及低压逻辑控制电路等，高压厚膜SOI基横向IGBT器件（高压厚膜SOI-LIGBT器件）在其中被用作开关器件，是该芯片中的核心器件，其性能直接决定了芯片的可靠性和功耗。本书共7章：介绍了厚膜SOI-LIGBT器件的工作原

传感器是信息获取的源头，位于信息技术链条的最前端。本书从气体传感器的应用领域和系统分类出发，重点围绕基于混成电位原理的固体电解质气体传感器的研究进展、发展现状及未来趋势进行介绍。本书主要内容包括固体电解质气体传感器的种类和特点、钇稳定氧化锆基混成电位型气体传感器的混成电位原理、增感策略、高效三相界面构筑、其他增感策略以

半导体光电子学是研究半导体光子和光电子器件的学科，涉及各种半导体光电子器件的物理概念、工作原理及制作技术，在能源、显示、传感和通信等领域都拥有广泛的应用。《BR》本书主要包括半导体材料基本性质、半导体光电子器件基本结构、载流子注入与速率方程、半导体激光器基本理论、光信号调制、半导体光电探测器、太阳能光热与光伏、半导体光

全书较为系统地论述了压接型IGBT器件封装疲劳失效机理及其可靠性建模与测评等，既有理论原理、仿真分析、又有实验测试等。全书内容可为高压大功率压接器件的可靠性设计优化和测试奠定理论基础；同时也为实现柔直装备安全运行的状态评估和主动运维提供技术支撑，从而进一步支撑以高压大功率IGBT器件为核心的柔直装备及电力系统安全。

本书介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺，以及特性的控制等。全书共13章：第1章为硅和锗的化学制备；第2章为区熔提纯；第3章为晶体生长；第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷；第5章为硅外延生长；第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体；第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长；第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体；第9章为Ⅱ

本书以集成电路领域中的等离子体刻蚀为切入点，介绍了等离子体基础知识、基于等离子体的刻蚀技术、等离子体刻蚀设备及其在集成电路中的应用。全书共8章，内容包括集成电路简介、等离子体基本原理、集成电路制造中的等离子体刻蚀工艺、集成电路封装中的等离子体刻蚀工艺、等离子体刻蚀机、等离子体测试和表征、等离子体仿真、颗粒控制和量产。本