本书系统介绍了人工晶体生长的基础理论和相图技术，在此基础上全面介绍了人工晶体生长主流技术如水溶液法、助熔剂法、水热法、焰熔法、提拉法和坩埚下降法等，详细介绍了上述人工晶体生长技术的基本原理、设备设计与构造、生长工艺以及它们的优缺点等。同时，作者结合自身多年科研工作成果积累，选择性介绍了几种重要的光电子晶体材料的生长技术

传统的晶体生长理论模型创建时，受时代限制，缺乏原位实时观测晶体生长过程微观结构演化的实验基础，难以真实、完整地反映晶体生长过程中微观结构的演化。本书突破了晶体生长机理研究的传统思维，采用高温激光显微拉曼光谱和同步辐射Ｘ射线衍射等现代观测技术，从微观尺度上，原位实时观测晶体生长过程中微观结构的演化。发现了晶体熔融生长时，

本书主要介绍了晶体生长技术及相关晶体缺陷，结合计算流体力学数值模拟和实验研究，系统的从热流体输运、化学反应等方面阐明了晶体生长技术的要点和优化方法。为了读者更系统的了解晶体缺陷的理论和研究方法，本书也详细介绍了分子动力学和第一性原理的研究策略，并应用于晶体缺陷的研究。本书的研究涵盖了宏观和微观的研究方法和理论，把传统的

本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。第一篇为晶体生长的基本原理，分5章对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为(传质、传热、对流)、化学基础问题(材料的提纯与合成问题)以及物理基础(电、磁、力的作用原理)

晶体生长科学与技术(第二版）（上册